Explore the vast range of titles available.

General trends in the development of investigations of isosbestic point, involving the chemical reaction in aqueous solutions are considered. The electronic absorption spectra, fluoresce spectral, equilibrium, and terminological aspects, as well as the possible schemes of formation of two compounds at the same wavelength, are discussed. The contributions of different methods to estimate the concentration of a substance by isosbestic point are analyzed. The interrelationship between the characteristics isosbestic point and phase rule is discussed.

تم تحضير عدد من المعقدات الجديدة ذوات الصيغ العامة {M (L1)2 C12} و C12{ M (L1)2 (y-pic)2} (ف L1 = بس - (2 - ثايوفنيليدين) ثايوسيميكاربازون، M = Zn(II), Cu(II), Ni(II), Co(II), Fe(II), Mn(II)، y-pic = 4 - مثيل بريدين)، وتم تشخيص المعقدات المحضرة بوساطة قياسات التوصيلية الكهربائية والمغناطيسية وتعيين المحتوى الفلزي وأطياف الأشعة تحت الحمراء والأطياف الالكترونية، وقد بينت الأطياف الالكترونية والعزم المغناطيسي بأن المعقدات تمتلك بنية ثماني السطوح غير المنتظمة لبعض المعقدات بسبب كون الليكندين المتناسقين مختلفين والمشوهة لمعقد النحاس للسبب السابق فضلاً عن تأثير يان تيلر.

Ga15Se81Zn4 chalcogenide thin films having thickness 300 nm, prepared by vacuum evaporation technique were crystallized by Nitrogen Laser for 10, 20 and 30 min. Assynthesized and laser-crystallized films were analyzed by X-ray diffraction, field emission scanning electron microscopy (FESEM), UV / VIS / NIR spectroscopy and dc conductivity measurements. The observed optical band gap becomes smaller by inducing lasercrystallization period 0 to 30 min, which is due to the crystallization of amorphous films. The lowering of band gap by laser-crystallization is an interesting behavior for a material to be used in various electronic devices. The dc conductivities of assynthesized and laser-crystallized films were analyzed at different temperatures from room temperature to 400 K. We have noticed that the dc conductivity becomes larger at different temperatures under investigation at different laser-crystallization time. Similar to behavior of optical band gap, the dc conductivity activation energy is also observed to become slower with increasing lasercrystallization time and there is a good compliance between these two values. تم تحضير أفلام الشالكوجينية (Ge15Se81Zn4) الرقيقة ذات سمك 300 نانومتر بواسطة تقنية التبخير في الفراغ حيث تم بلورتها باستخدام ليزر النيتروجين لفترات زمنية 10، 20، 30 دقيقة. تم تحليل الأفلام المخلقة و المبلورة بالليزر باستخدام حيود الأشعة السينية، المجهر الإلكتروني الماسح ذو المجال الانبعاثي، طيف الأشعة فوق البنفسجية/ الطيف المرئي/ طيف الأشعة تحت الحمراء القريبة، الموصلية الكهربية للتيار المستمر. حزمة الفجوة الضوئية المرصودة أصبحت أصغر بواسطة التبلور المستحث بالليزر خلال الفترة من صفر إلى 30 دقيقة و يعزى ذلك إلى تبلور الأفلام غير المبلورة. انخفاض حزمة الفجوة باستخدام التبلور بالليزر سلوك مثير للاهتمام للمواد التي تستخدم في الأجهزة الإلكترونية المختلفة. الموصلية الكهربية للتيار المستمر لهذه الأفلام المحضرة تم تحليلها عند درجات حرارة مختلفة تبدأ من درجة حرارة الغرفة و تنتهي عند درجة حرارة 400 كلفن. لقد لوحظ أن الموصلية الكهربية للتيار المستمر أصبحت أكبر عند درجات الحرارة المختلفة. و بصورة مشابه لسلوك حزمة الفجوة الضوئية فقد لوحظ انخفاض في طاقة التنشيط للموصلية الكهربية للتيار المستمر كذلك بزيادة زمن التبلور بالليزر و هناك توافق جيد بين هاتين القيمتين.